- РФФИ №03-03-96500-р2003цчр_а – Нелинейные эффекты в процессах хемостимулированного синтеза диэлектрических оксидных слоев на AIIIBV.
- РФФИ № 06-03-96338_р_центр_а – Воздействие хемостимуляторов на кинетику и механизм термического окисления полупроводников AIIIBV в процессах формирования тонких пленок и гетероструктур.
- РФФИ № 09-03-97552-р_центр_а – Каталитические и транзитные твердофазные взаимодействия в наносистемах на основе полупроводниковых материалов.
- РФФИ 10-03-00949-а – Размерные эффекты в процессах синтеза оксидных слоев на GaAs и InP.
- РФФИ №13-03-00705-а – Роль V2O5 как катализатора оксидирования, модификатора границы раздела и наноструктуры функциональных нанометровых пленок на InP и GaAs.
- РФФИ № 16-43-360595 р_а – Модифицирование поверхности GaAs, GaP и InP как способ управления наноструктурой, оптическими и электрофизическими свойствами оксидных плёнок нанометрового диапазона толщины для микроэлектроники.
- РФФИ №18-03-00354_а – Разработка фундаментальных основ химически управляемого синтеза функциональных наноразмерных пленок на полупроводниках А3В5 для опто- и микроэлектроники, газочувствительных сенсоров.
- Государственное задание высшим учебным заведениям в сфере научной деятельности на 2014-2016 годы «Исследование воздействия хемостимулирующих допантов на закономерности оксидирования полупроводниковых соединений А3B5 (GaAs, InAs, GaP, InP) и разработка новых процессов формирования на их основе пленок наноразмерного диапазона толщины различного целевого назначения» (проект №225).
Проекты:
