Томина Елена Викторовна

В 1990 году с красным дипломом окончила Воронежский государственный университет по специальности «Химия», присвоена квалификация «Химик. Преподаватель». В 1997 году в диссертационном совете Д 212.038.08  при Воронежском государственном университете защитила кандидатскую диссертацию по специальности 02.00.01 – неорганическая химия. В 2017 году защитила докторскую диссертацию на тему «Хемостимулированное оксидирование  GaAs  и InP под воздействием d-металлов (Ni, Co, V), их оксидов и композиций оксидов» по специальности 02.00.01 – неорганическая химия. Общий стаж работы в Воронежском госуниверситете – 24 года.

Имеет 215 публикаций, из них 39 учебных и методических, 172 научных, из них более 70 статей в журналах текущего перечня ВАК, из них около 60 – в базах данных Web of Science и Scopus, 4 патента РФ. Индекс Хирша в РИНЦ – 11, в Web of Science – 6, в Scopus – 6. Является членом диссертационных советов Д 212.038.08 и Д 212.038.19 на базе ВГУ, членом учёного совета химического факультета ФГБОУ ВО ВГУ.

С 2013 является руководителем дополнительной образовательной программы профессиональной переподготовки «Преподаватель» по направлению «Химия».  Является старшим экспертом предметной комиссии ЕГЭ по химии. 

В 2017 году награждена нагрудным знаком «За заслуги перед «ВГУ». Имеет благодарности ректора ВГУ.

Томиной Е.В. разработан ряд новых оригинальных курсов «Физико-химия анокластеров, наноструктур и наноматериалов», «Кинетика и катализ», «Современная неорганическая химия» для студентов направлений подготовки 04.03.02 «Химия» и 04.03.02 «Химия, физика и механика материалов». Руководит бакалаврскими, дипломными работами, магистерскими диссертациями.

1. РФФИ №03-03-96500-р2003цчр_а – Нелинейные эффекты в процессах хемостимулированного синтеза диэлектрических оксидных слоев на AIIIBV.
2. РФФИ № 06-03-96338_р_центр_а – Воздействие хемостимуляторов на кинетику и механизм термического окисления полупроводников AIIIBV в процессах формирования тонких пленок и гетероструктур.
3. РФФИ № 09-03-97552-р_центр_а – Каталитические и транзитные твердофазные взаимодействия в наносистемах на основе полупроводниковых материалов.
4. РФФИ 10-03-00949-а – Размерные эффекты в процессах синтеза оксидных слоев на GaAs и InP.
5. РФФИ №13-03-00705-а –  Роль V2O5 как катализатора оксидирования, модификатора границы раздела и наноструктуры функциональных нанометровых пленок на InP и GaAs.
6. РФФИ № 16-43-360595 р_а – Модифицирование поверхности GaAs, GaP и InP как способ управления наноструктурой, оптическими и электрофизическими свойствами оксидных плёнок нанометрового диапазона толщины для микроэлектроники.
7. РФФИ №18-03-00354_а – Разработка фундаментальных основ химически управляемого синтеза функциональных наноразмерных пленок на полупроводниках А3В5 для опто- и микроэлектроники, газочувствительных сенсоров.
8. Государственное задание высшим учебным заведениям в сфере научной деятельности на 2014-2016 годы «Исследование воздействия хемостимулирующих допантов на закономерности оксидирования  полупроводниковых соединений А3B5 (GaAs, InAs, GaP, InP) и разработка новых процессов формирования на их основе пленок наноразмерного диапазона толщины различного целевого назначения»  (проект №225).

WOS Researcher ID (Publons): ABF ABF-1895-2020 (https://publons.com/researcher/3323915/elena-tomina/)

Scopus Author ID: https://www.scopus.com/authid/detail.uri?authorId=6602401724

РИНЦ: https://www.elibrary.ru/author_profile.asp?authorid=56831

1. Патент 2548089 Российская Федерация Способ синтеза люминофора на основе ортованадата иттрия / Томина Е.В., Миттова И.Я., Бурцева Н.А., Сладкопевцев Б.В. // №2013133382/05; Заявлено 12.11.2013; опубл. 20.05.2015. Бюл. № 10. – 9 с.
2. Патент 2550316 Российская Федерация Способ создания наноразмерных наноструктурированных оксидных плёнок на InP с использованием геля пентаоксида ванадия / Томина Е.В., Миттова И.Я., Третьяков Н.Н., Сладкопевцев Б.В. // №2013159070/28; Заявлено 30.12.2013; опубл. 10.05.2015. Бюл. № 13 – 9 с.
3. Патент на изобретение RU 2677266 Российская Федерация Способ создания наноразмерных диэлектрических пленок на поверхности GaAs с использованием магнетронно сформированного слоя диоксида марганца / Томина Е.В., Миттова И. Я., Третьяков Н. Н., Кострюков В. Ф., Самсонов А. А., Сладкопевцев Б.В. // №2017107418; Заявлено 06.03.2017 ; опубл. 19.09.2018 – 6 с.
4. Патент на изобретение RU 2680668 Российская Федерация Способ создания наноразмерных диэлектрических плёнок на поверхности InP с использованием оксида и фосфата марганца / Томина Е.В., Миттова И. Я., Самсонов А. А., Сладкопевцев Б.В. // № 2018108820; Заявлено 12.03.2018; опубл. 25.02.2019 – 11 с.